装备自主设计
自主设计装备腔室,实现更好的温场与流场均匀性。
无支点SiC涂层技术
核心技术优势,彻底解决涂层支撑点性能薄弱问题。
超临界多相法TaC涂层技术
可在满足技术指标的情况下相比CVD法大幅降低TaC涂层成本。
涂层性能优异
在纯度、尺寸均匀性、寿命等方面均可满足严苛的半导体制程要求。
高精度加工检测能力
采用进口高精度三坐标仪确保微米级别的尺寸精度。
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